Toshiba в среду вечером продемонстрировала чип памяти NAND, созданный по 19-нм техпроцессу и обладающий очень высоким потенциалом в применении в смартфонах и планшетных компьютерах. Использование двух бит на ячейку и до 8 ГБ памяти на одном чипе позволяет компании создавать стеки из 16 чипов общим объёмом 128 ГБ. Напомним, что на сегодняшний день максимальный объём внутренней памяти серийного смартфона составляет «всего» 32 ГБ.
Новые чипы несколько быстрее перемещают данные, благодаря поддержке технологии Toggle DDR2.0. Помимо этого, они, по словам Toshiba, поддерживают 3-битные ячейки памяти, что также будет способствовать повышению плотности хранения информации в будущем.
SanDisk собирается наладить производство аналогичной памяти во втором полугодии 2011 года. Возможно, именно это подстегнуло Toshiba анонсировать начало промышленного выпуска своих чипов уже на лето. Клиенты, которые первыми получат новинку, пока не названы. Можно лишь предположить, что они будут устанавливаться в собственные продукты Toshiba, такие как SSD и планшеты, а также новые линейки Apple, тем более, что начало производства комплектующих для iPhone 5, по последним данным, запланировано именно на летний период. К тому же, пока не ясно, собирается ли Apple увеличивать объём памяти iPhone и iPod.
128-гигабайтные смартфоны и планшеты вряд ли появятся на рынке в ближайшее время из-за относительной дороговизны планок памяти такого объёма. Но массовый выпуск новых чипов резонно приведёт к снижению стоимости их предыдущего поколения и 64-гигабайтного варианта.
