Генеральный директор компании SanDisk Эли Харари (Eli Harari) заявил о начале работ над так называемой «трёхмерной» памятью. Пока эту инновацию пытались освоить только мелкие компании (типа Vertical Circuits), и SanDisk становится первым крупным игроком в этой гонке.
Харари объясняет новую стратегию компании чисто практическими соображениями: уже скоро дальнейшее увеличение объёма флэш-памяти традиционными способами станет невозможно, поэтому приходится пробовать что-то принципиально иное.
В интервью газете New York Times глава SanDisk объяснил: «Когда в Манхэттене кончилось свободное место, пришлось строить небоскрёбы. То же делаем и мы».
Технологический потолок традиционной флэш-памяти объясняется простым физическим фактом: в каждой ячейке памяти должен быть как минимум один электрон. Меньше одного электрона быть не может, следовательно, дальнейшее увеличение объёма невозможно. Единственный выход — «складывать» чипы памяти друг на друга, в несколько уровней. Эта технология получила называние стэкинг (от англ. stack – кипа, стопка).
Харади предполагает, что одночиповая флэш-память исчерпает свои возможности в течение ближайших пяти лет, остановившись на планке в 32 ГБ. Это всего лишь в два раза больше сегодняшних карт.
Пока компании SanDisk удалось создать трёхмерные чипы с восемью уровнями, что соответствует теоретическому максимуму в 256 ГБ. Правда, пока лабораторный прототип допускает только одну процедуру записи. Впрочем, уже сейчас конкуренция на этом рынке такова, что в ближайшее время можно ждать серьёзных технологических прорывов.
