На форуме разработчиков IDF, Intel продемонстрировала два долгосрочных проекта. Первым из них стал чип Near Threshold Voltage Processor (NTVP), использующий очень низкое напряжение цепей, которое может достигать 10 мВ. Он достаточно эффективен и может питаться от солнечного элемента небольшого размера (что и было продемонстрировано).
Также был представлен модуль Hybrid Memory Cube (HMC), разработанный компанией Micron (партнёром Intel). HMC опирается на стек чипов, которые позволяют увеличить эффективность использования пространства памяти при одновременном повышении потребляемой мощности и скорости передачи данных. Как заявляют разработчики, одна микросхема Memory Cube будет иметь в 20 раз большую производительность, по сравнению с используемыми в настоящее время модулями памяти. Intel сообщила, что пропускная способность Hybrid Memory Cube будет составлять 1 Тбит/с.
NTVP и HMC могут найти применение в смартфонах, компьютерах, и даже в крупных серверах.
