Японская Sanyo Semiconductor на прошлой неделе объявила о разработке нового модуля IGBT (биполярного транзистора с изолированным затвором) TIG058E8 для ксеноновой вспышки. Он примерно на 60% меньше нынешних продуктов компании.
Новый продукт, предназначенный главным образом для камер в мобильных телефонах, работает как переключатель, моментально выпускающий электроэнергию, которая накапливается в конденсаторе, и активирующий ксеноновую вспышку. Размеры модуля — 2,8 x 2,9 x 0,9 мм, вес 0,02 г. Благодаря новому модулю можно переключать ток силой 150A с напряжением 400В, то есть его мощность сравнима с уже существующими продуктами. Цена модуля составляет приблизительно 2,8 долларов США. Начиная с мая 2009 года ежемесячно компания планирует выпускать три миллиона таких модулей.
Плата ксеноновой вспышки Sanyo с чипом IGBT (чёрный чип под цифрой «5» в слове «TIG058E8»).
До сих пор мобильные телефоны оборудовались светодиодной вспышкой, и лишь несколько моделей снабжены ксеноновой. Это обусловлено тем, что модули ксеноновой вспышки крупнее модулей LED, и их трудно встроить в мобильные телефоны. Однако Sanyo рассчитывает, что ксеноновые вспышки — которые, по заявлению компании, в четыре раза ярче светодиодных — найдут применение в большем спектре устройств, когда размер модулей уменьшится. По словам представителя компании, цена модуля может составить 4.5-5.6 доллара. Ксеноновая трубка и конденсатор для аккумулирования энергии занимают около 90% площади модуля вспышки, а IGBT требует лишь примерно 2% площади. Уменьшения величины модуля добились с помощью двух модификаций. Одна заключалась в применении технологии беспроводного соединения, когда медная рама напрямую присоединяется к микропроцессору при установке чипа IGBT. Это позволило уменьшить высоту на 10% по сравнению с существующими продуктами.
