Компания Semiconductor Research Corporation совместно с учёными Йельского университета объявили во вторник, что им удалось существенно повысить производительность чипов памяти DRAM. Исследователи использовали ферроэлектрические слои, не требующие использования запоминающих конденсаторов, что является необходимым условием в обычных ячейках DRAM.
Учёные назвали новую память FeDRAM (ferroelectric DRAM). Структура её запоминающих элементов очень близка к структуре КМОП-транзистора, только вместо диэлектрического затвора используется ферроэлектрический. Есть вероятность, что удастся разместить несколько битов данных в одной ячейке, как во флэш-памяти.
Что это даст?
Среди преимуществ нового типа памяти: улучшенная масштабируемость, меньший размер ячейки, как минимум в 1000 раз большее минимальное время хранения данных, пониженное энергопотребление, более низкая себестоимость.
Сейчас исследователи работают над прототипом FeDRAM с блоком электросхем. Первые партии планок нового типа могут поступить на рынок довольно скоро, хотя никаких конкретных сроков учёные не называют.
