На Международной конференции по интегральным схемам (International Solid State Circuits Conference) компания SanDisk представила совместную с компанией Toshiba разработку — технологию флэш-памяти, сочетающую в себе технологию X3 и 32-нанометровый технологический процесс производства чипов. Создаваемые таким образом модули NAND-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) будут обладать ёмкостью до 32 ГБ — этом каждая ячейка может хранить три бита информации. Сами чипы получаются настолько компактными, что их можно легко использовать при производстве карт памяти формата microSD.
Производитель утверждает, что модули X3, созданные по 32-нанометровому техпроцессу, и ёмкостью 32 ГБ обеспечивают памяти microSD наивысшую плотность — ведь его ёмкость вдвое превышает показатели чипа microSD, произведённого по 43-нанометровой технологии. Распространение карт microSD пропорционально выросло с продажами мобильных телефонов или медиаплееров со слотами расширения памяти. Несколько ранее SanDisk и Toshiba представили планы по выпуску ещё одной ультраплотной формы флэш-памяти NAND — а именно X4. В этой технологии применяется новый контроллер памяти, и в каждую ячейку помещается четыре бита данных, а скорость передачи составляет 7,8 МБ в секунду. Компоненты можно использовать для увеличения ёмкости до 64 ГБ, удвоив 32-гигабайтные накопители, которые Toshiba начала производить в конце прошлого года.
Компании планируют начать производство 32-гигабайтной 32-нанометровой памяти X3 во втором полугодии 2009 года. Хотя поставщики пока не представляли возможных приложений от независимых компаний, Toshiba поставляла компоненты памяти для Apple iPhone или iPod touch. А продажи флэш-карт X4 начнутся уже в первой половине 2009 года.
