Пару дней назад мы писали о том, что Intel совместно с Micron разрабатывает самую быструю память в мире, а теперь появились данные о том, что Intel располагает технологией, благодаря которой емкость накопителей на основе фазового перехода можно увеличить вдвое, при этом не особенно повысив их стоимость.
Эта технология известна уже более двух лет и основана на фазовых свойствах композитного материала, в состав которого входит германий и сурьма. При подаче небольшого напряжения происходит его нагрев, и он меняет свое состояние с аморфного на кристаллическое.
Такая память во-первых, намного быстрее обычной флэш-памяти (приблизительно в 500 раз). А теперь, благодаря открытию Intel и ее партнера ST Microelectronics, она стала еще и вдвое более емкой.
Суть открытия состоит в том, что между двумя основными фазовыми состояниями этого материала можно выделить еще два относительно стабильных, что позволит расширить объем памяти такого же по площади кристалла.
