Корпорация IBM работает совместно с компанией TDK над памятью высокой ёмкости. Согласно IBM, в памяти нового поколения MRAM (Magnetic Random Access Memory — магнитная память с произвольным доступом) используетcя технология под названием spin momentum transfer effect (эффект передачи момента импульса). Это на практике означает, что можно создавать намного более компактные ячейки памяти, чем это было возможно до сих пор. С появлением новой памяти также снизится потребление энергоресурсов, а показатели скорости и надёжности возрастут.
Будет ли следующее поколение компьютерной памяти основано на магнитных технологиях?
«Эта совместная инициатива укрепляет намерения IBM по исследованиям в области памяти», - поделился говорит доктор Т.К. Чен (Dr T.C. Chen), глава подразделения научных и технических исследований IBM. «Проект сосредоточится на том, чтобы создавать и демонстрировать более совершенные магнитные материалы для разработки чипов памяти».
«Эти объединенные научные исследования расширят область применения магнитных материалов, которые являлись основной технологией TDK с 1935 года», — сказал Минору Такахаши (Minoru Takahashi), технический директор корпорации TDK.
К слову, корпорация IBM занимает лидирующие позиции в области исследований магнитных технологий, на которых базируется новая память.
