Samsung начала производство флеш-памяти со скоростью передачи данных 400 Мбит/с

В производство Samsung поступили чипы флеш-памяти Double Data Rate 2.0 MLC NAND. Это первые в отрасли 64-гигабайтные чипы, изготовленные с использованием 20-нм техпроцесса и способные похвастаться скоростью передачи данных на уровне 400 Мбит/с. 

Память Samsung DDR 2.0 MLC NAND в три раза быстрее чипов на DDR 1.0 (со скоростью интерфейса 133 Мбит/с) и в десять раз быстрее SDR NAND (40 Мбит/с), широко используемых в современной электронике. 

Надеемся, что фактическую оценку повышения скорости работы планшетов, смартфонов, SSD и других устройств с применением южнокорейской разработки можно будет провести совсем скоро. 

по материалам Engadget